Search
Generic filters
Exact matches only

Hotline:19003190
[email protected]
Giờ làm việc từ 09h00 sáng đến 21h00
0
Giỏ hàng trống

Samsung sản xuất hàng loạt RAM LPDDR5 và bộ nhớ UFS 3.0 cho Galaxy S10

34
15/06/2018

Samsung sn xut hng lot RAM LPDDR5 v b nh UFS 3.0 cho Galaxy S10 nh 1

Bộ nhớ UFS 3.0 có băng thông cao gấp đôi UFS 2.1 đang được phổ biến hiện nay với tốc độ lên đến 23,2Gbps. Nó cũng tiêu thụ ít năng lượng hơn và có thể ứng dụng trong ngành công nghiệp ô tô. Đối với LPDDR5, hiệu suất sẽ tăng 10% và hiệu quả sử dụng năng lượng tăng 15%.

Có nhiều tính năng khác đã được đồn đoán đi kèm với Galaxy S10, có thể kể tới như cảm biến vân tay đặt trong màn hình và công nghệ nhận diện khuôn mặt 3D. Vi xử lý mang tên Exynos 9820 cũng được kỳ vọng sẽ mang lại sức mạnh ấn tượng, vượt trội so với Snapdragon 855 của Qualcomm.

Theo Gizmochina

Hải SN

Nguồn: Tổng Hợp Deal

Tag: Samsung sản xuất hàng loạt RAM LPDDR5 và bộ nhớ UFS 3.0 cho Galaxy S10

Trả lời

Email của bạn sẽ không được hiển thị công khai. Các trường bắt buộc được đánh dấu *

Apple Iphone